BC 546-547-548

                    BC 549

                    2N4416

                    2N3055

                    2N1171

                    BU 508

 

                    transistor BC

                    transistor 2N

                    transisotr BD

                    transistor BF

 

                    2N109 - 2SB337

                    2SB407 - 2SD1413

                    2SD1415 - BSR14

                    BSR31 - ZTX753M1TA

 

                

                   

                   

 

 

I componenti europei sono definiti da due lettere e tre cifre. La prima lettera specifica il materiale usato e la seconda il gruppo a cui il componente appartiene :

 

PRIMA LETTERA

 

A = Germanio ( Ge )

B = Silicio ( Si )

C = GallioArsenio ( GaAs ) o altri materiali a base di gallio

D = IndioAntimonio ( InSb )

R = Materiali per foto transistor

 

SECONDA LETTERA

 

A = diodi per detector, switching o mixing 
B = diodi capacitivi (variac)
C = transistor bassa frequenza ,bassa potenza
D = transistor bassa frequenza ,alta potenza
E = diodi tunnel
F = transistor alta frequenza ,bassa potenza
G = combinazione di più gruppi o senza uno specifico gruppo
H = diodi sensibili a campi magnetici
K = elementi a package aperto ,sensibili a campi esterni
L = transistor alta frequenza e alta potenza
M = elementi closed Hall
N = accoppiatori ottici
P = componenti sensibili a luce o radiazioni
Q = elementi trasmettenti luce o radiazioni
R = componenti a bassa potenza trigger switching 
S = transistor switching a bassa potenza
T = transistor trigger switching ad alta potenza come TRIACs e Tristor
U = transistor switching ad alta potenza
X = diodi moltiplicatori come i varactor e step recovery 
Y = diodi rettificatori
Z = diodi Zener
 
 
I componenti giapponesi iniziano in genere con 2S seguito da una lettera ,che definisce
il tipo e poi due o più  numeri.La lettera identificatrice può essere :
A = PNP comune transistor a bassa potenza
B = PNP comune transistor ad alta potenza
C = NPN comune transistor a bassa potenza
D = NPN comune transistor ad alta potenza
J = P-canale fet
K = N-canale fet
 
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